束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司的 MDpicts pro 高分辨率變溫少子壽命測(cè)試儀，是面向半導(dǎo)體材料深層缺陷分析與電學(xué)表征的科研利器。該系統(tǒng)基于成熟的微波探測(cè)光電導(dǎo)（MDP）技術(shù)，為材料研發(fā)與工藝優(yōu)化提供了非接觸式的精準(zhǔn)測(cè)量方案。
一、 核心產(chǎn)品定位
MDpicts pro? 是一款全自動(dòng)、高分辨率的變溫測(cè)試系統(tǒng)，專為半導(dǎo)體材料電輸運(yùn)特性的深度研究而設(shè)計(jì)。它不僅能完成常規(guī)的少子壽命（τ）與光電導(dǎo)率（σ）測(cè)繪，更通過(guò)變溫瞬態(tài)分析（類似 DLTS 原理），實(shí)現(xiàn)對(duì)深能級(jí)缺陷的活化能與俘獲截面的定量表征。適用于從硅基材料到化合物半導(dǎo)體的全流程質(zhì)量監(jiān)控。
二、 六大核心優(yōu)勢(shì)詳解
1. 材料覆蓋極廣：從窄禁帶到寬禁帶“通吃”
該系統(tǒng)突破了單一材料限制，憑借可定制的激光與微波探測(cè)方案，實(shí)現(xiàn)了對(duì)多種半導(dǎo)體材料的兼容：
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傳統(tǒng)與光伏材料：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅（電阻?> 0.3 Ω·cm）、硅錠/硅片。
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化合物半導(dǎo)體：HgCdTe（紅外探測(cè)）、InP、GaAs、GaN（射頻/光電子）。
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寬禁帶與新興材料：SiC（功率器件）、CdTe、鈣鈦礦、氧化物半導(dǎo)體。
這種靈活性使其成為多學(xué)科交叉實(shí)驗(yàn)室的理想設(shè)備。
2. 高分辨率變溫缺陷分析（核心差異化）
區(qū)別于普通常溫壽命測(cè)試儀，MDpicts pro 集成了原位低溫恒溫系統(tǒng)與高靈敏度瞬態(tài)采集技術(shù)：
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功能：支持溫度依賴的少子壽命測(cè)量（τ-T）與微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS）。
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價(jià)值：可精確測(cè)定缺陷能級(jí)（Ei）、活化能及俘獲截面，用于分析 Fe、Cr 等金屬污染及晶體原生缺陷，是失效分析與材料“根本原因分析”的有力工具。
3. 雙模式測(cè)量：瞬態(tài)（μ-PCD）與穩(wěn)態(tài)（MDP）自由切換
一臺(tái)設(shè)備集成兩種主流測(cè)量方法，滿足不同實(shí)驗(yàn)需求：
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μ-PCD 模式（瞬態(tài)）：利用微波探測(cè)光電導(dǎo)衰減，直接獲取少子壽命，適合快速篩查與高時(shí)間分辨率研究。
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穩(wěn)態(tài) MDP 模式：測(cè)量穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)率，結(jié)合 LBIC（光束誘導(dǎo)電流）功能，可評(píng)估太陽(yáng)能電池的局域電流收集效率。
用戶無(wú)需更換設(shè)備即可在研發(fā)（瞬態(tài)）與工藝監(jiān)控（穩(wěn)態(tài)）間無(wú)縫切換。
4. 高空間分辨率與大尺寸樣品兼容
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精細(xì)測(cè)繪：具備高空間分辨率成像能力，可繪制材料表面的壽命分布圖（Mapping），直觀呈現(xiàn)缺陷聚集區(qū)、晶界效應(yīng)及摻雜不均勻性。
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大尺寸支持：樣品臺(tái)可適配最大 4 英寸晶圓或等效尺寸樣品，滿足中試線及研發(fā)中心對(duì)大樣品的測(cè)試需求。
5. 非接觸式測(cè)量：真正無(wú)損檢測(cè)
采用全光學(xué)激發(fā)（激光）與微波探測(cè)，無(wú)需制備電極（如蒸鍍、焊接），避免了傳統(tǒng)電學(xué)測(cè)量對(duì)樣品的物理?yè)p傷。特別適合：
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珍貴的外延片、拋光晶圓。
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工藝中途的在線抽檢（如擴(kuò)散后、鈍化前）。
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柔性或易碎材料（如鈣鈦礦薄膜）。
6. 定制化激光與光學(xué)集成
束蘊(yùn)儀器提供靈活的定制化升級(jí)服務(wù)。用戶可根據(jù)材料的光吸收特性（如寬禁帶材料需要短波長(zhǎng)/高能量激光），選配不同波長(zhǎng)（如紅外、可見(jiàn)光、紫外）的激光源及光學(xué)附件，確保對(duì)不同帶隙材料均有最佳的載流子注入效率。
三、 典型應(yīng)用場(chǎng)景
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 具體用途 | 技術(shù)亮點(diǎn) |
| 光伏材料研發(fā)? | 硅料、晶錠、電池片的壽命分布與Fe/BO缺陷分析 | 快速面掃描，指導(dǎo)切割工藝優(yōu)化 |
| 功率器件（SiC, GaN） | 外延層質(zhì)量評(píng)估，深能級(jí)缺陷表征 | 變溫 MD-PICTS 分析界面態(tài)與Z1/2缺陷 |
| 紅外探測(cè)材料（HgCdTe） | 晶格完整性及少子壽命的溫度依賴性研究 | 低溫恒溫系統(tǒng)下的高靈敏度測(cè)試 |
| 科研機(jī)構(gòu)? | 新型半導(dǎo)體（鈣鈦礦、氧化物）載流子動(dòng)力學(xué)研究 | 非接觸式、支持低維材料 |
四、 關(guān)于束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司
束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司是一家專注于科研儀器引進(jìn)、技術(shù)服務(wù)與實(shí)驗(yàn)室解決方案的供應(yīng)商。公司與多個(gè)國(guó)際品牌保持深度合作，擁有專業(yè)的應(yīng)用支持團(tuán)隊(duì)，能為 用戶提供從設(shè)備安裝、方法開發(fā)到復(fù)雜數(shù)據(jù)分析的全流程本土化技術(shù)支持，確保設(shè)備在高校、研究所及企業(yè)研發(fā)中心的高效運(yùn)行。
推薦指數(shù)：★★★★★
適用對(duì)象：半導(dǎo)體材料科研實(shí)驗(yàn)室、光伏企業(yè)研發(fā)中心、功率器件外延廠、紅外探測(cè)器材料研究單位。
更新時(shí)間：2026-04-22
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